sábado, 11 de febrero de 2012

MEMORIA RAM





MEMORIA RAM: es donde el computador guarda los datos que esta utilizando en el momento presente. Su almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas pertenecen en ellas mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada. Se le llama RAM porque es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente.




ü  TIEMPO DE REFRESCO O LATENCIA: es el retardo en nanosegundos para acceder a una celda de datos, internamente los datos en la memoria se organizan por filas, columnas y tableros. Por eso el valor se especifica con 3 números distintos. Cuando accedes a un dato obtienes la latencia, que es por fila, otra que es por columna, así como otra por tablero. Obviamente entre mas pequeños son estos valores mejor y mas rápida es la memoria.
ü  TIEMPO DE ACCESO: es el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el instante en que se dispone de la primera información buscada. En la memoria principal, este es, en principio, independiente de la dirección en la que se encuentre la información a la cual queremos acceder.
ü  BUFFER DE DATOS: es la parte de la memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algún software para realizar un trabajo o proceso más rápido.
ü  PARIDAD: consiste en añadir a la (Edo o bedo) un chip que realiza una operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado; se ha producido un error y los datos ya no son fiables. Sin embargo el ordenador  avisa que el error se ha producido pero no lo corrige.


ESTRUCTURA FISICA DE LA MEMORIA: en el origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polarizaba la ferrita. Mientras esta queda polarizada el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes no era posible acceder. Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por válvulas de vacion, transistores y en las ultimas generaciones por un material solido dieléctrico. Dicho estado solido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda tanto leer como escribir información.






¿POR QUE LA MEMORIA RAM ES VOLATIL Y ALEATORIA?:
-         - Aleatoria porque se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin tener que acceder a los byte procedentes.
-         - Y volátil porque cuando se le quita la energía ( la alimentación de voltaje) se borra lo que estaba almacenando.


ALMACENAMIENTO DE LA INFORMACION: El medio de almacenamiento mas común es el del disco magnético, el propósito de guardas loa datos en la memoria es que tiene mas cantidad de espacio para guardarlos.


TIPOS DE MEMORIA RAM

-      * Asíncronas: “no están en sintonía con el procesador”. No trabajan en sincronía con el reloj del sistema FPM-RAM
-        * Sincronas: “que están en sincronía con el procesador”. Utilizan un reloj para sincronizar la entrada y salida de las señales necesarias durante un acceso a memoria.


MODULOS DE MEMORIA RAM

- SIMM: usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
  
-DIMM: equivalen a dos SIMM, tienen 168 pines y en las phetium se puden usar solos porque tienen 32 bits.


- RIMM: cuenta con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de didipadores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del modulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz.




- SIPP: y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo.


Archivo:SIPP.jpg


DIP:  Dual in-line package por sus siglas en inglés, es una forma de encapsulamiento común en la construcción de circuitos integrados. La forma consiste en un bloque con dos hileras paralelas de pines, la cantidad de éstos depende de cada circuito. Por la posición y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente prácticos para construir prototipos en tablillas de protoboard. Concretamente, la separación estándar entre dos pines o terminales es de 0.1“ (2.54 mm).



Tres encapsulados DIP de 14 pines


MODULOS RAM PARA PORTATILES

So-DIMM: consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, cuentan con 144 contactos y tienen un tamaño de aproximadamente la mitad de un modulo SIMM.

MICRODIMM: es el mas pequeño de todos tiene 214.


So- RIMM: diseñado exclusivamente para computadores portátil sus modulos son mas compactos que 
RIMM.



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